N-kanaaltransistor VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V

N-kanaaltransistor VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.55€
5-49
3.08€
50-99
2.72€
100-199
2.41€
200+
1.99€
Hoeveelheid in voorraad: 66

N-kanaaltransistor VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 45V. Aantal per doos: 1. ID s (min): 30uA. Kanaaltype: N. Let op: zeefdruk/SMD-code S3NV04DP. Markering op de kast: S3NV04DP. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Td(aan): 90 ns. Td(uit): 450 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Trr-diode (min.): 107ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:51

VNS3NV04DPTR-E
19 parameters
ID (T=25°C)
3.5A
Idss (max)
75uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.12 Ohms
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
45V
Aantal per doos
1
ID s (min)
30uA
Kanaaltype
N
Let op
zeefdruk/SMD-code S3NV04DP
Markering op de kast
S3NV04DP
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
4W
Td(aan)
90 ns
Td(uit)
450 ns
Technologie
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Trr-diode (min.)
107ns
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics