N-kanaaltransistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V

N-kanaaltransistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.79€
5-9
4.07€
10-24
3.81€
25-49
3.56€
50+
3.23€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 75

N-kanaaltransistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10U1B. Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1350pF. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: nee. ID s (min): -. Id(imp): 30Ap. Kanaaltype: N. Kosten): 135pF. Markering op de kast: K8A65D. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 60 ns. Td(uit): 75 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:51

TK8A65D-STA4-Q-M
25 parameters
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.7 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
2-10U1B
Spanning Vds(max)
650V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1350pF
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
30Ap
Kanaaltype
N
Kosten)
135pF
Markering op de kast
K8A65D
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
60 ns
Td(uit)
75 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVII)
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor TK8A65D-STA4-Q-M