N-kanaaltransistor STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

N-kanaaltransistor STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.68€
5-14
2.31€
15-29
2.02€
30-59
1.84€
60+
1.58€
Hoeveelheid in voorraad: 78

N-kanaaltransistor STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1350pF. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 23.2A. Kanaaltype: N. Kosten): 130pF. Markering op de kast: W7NK90Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:51

Technische documentatie (PDF)
STW7NK90Z
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.65A
ID (T=25°C)
5.8A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.56 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Spanning Vds(max)
900V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1350pF
Functie
beschermd met Zener -diode
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
23.2A
Kanaaltype
N
Kosten)
130pF
Markering op de kast
W7NK90Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
140W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
20 ns
Technologie
SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
840 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics