N-kanaaltransistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

N-kanaaltransistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.93€
5-14
3.39€
15-29
3.07€
30-59
2.87€
60+
2.55€
Hoeveelheid in voorraad: 14

N-kanaaltransistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 1000V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1154pF. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 14A. Kanaaltype: N. Kosten): 106pF. Markering op de kast: W5NK100Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 22.5 ns. Td(uit): 51.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 605 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:51

Technische documentatie (PDF)
STW5NK100Z
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2.2A
ID (T=25°C)
3.5A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
2.7 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Spanning Vds(max)
1000V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1154pF
Functie
beschermd met Zener -diode
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
14A
Kanaaltype
N
Kosten)
106pF
Markering op de kast
W5NK100Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
125W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
22.5 ns
Td(uit)
51.5 ns
Technologie
SuperMESH3™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
605 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics