N-kanaaltransistor STW10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

N-kanaaltransistor STW10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.08€
5-14
3.61€
15-29
3.26€
30+
2.95€
Hoeveelheid in voorraad: 14

N-kanaaltransistor STW10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 2180pF. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaaltype: N. Kosten): 205pF. Markering op de kast: W10NK80Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 30 ns. Td(uit): 65 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

Technische documentatie (PDF)
STW10NK80Z
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
6A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.78 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
2180pF
Functie
beschermd met Zener -diode
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaaltype
N
Kosten)
205pF
Markering op de kast
W10NK80Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
160W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
30 ns
Td(uit)
65 ns
Technologie
SuperMESH ™Power MOSFET
Trr-diode (min.)
645 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics