N-kanaaltransistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

N-kanaaltransistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.14€
5-9
2.73€
10-24
2.30€
25+
2.08€
Hoeveelheid in voorraad: 16

N-kanaaltransistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1370pF. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaaltype: N. Kosten): 156pF. Markering op de kast: W10NK60Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 20 ns. Td(uit): 55 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

Technische documentatie (PDF)
STW10NK60Z
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.65 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1370pF
Functie
beschermd met Zener -diode
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaaltype
N
Kosten)
156pF
Markering op de kast
W10NK60Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
156W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
20 ns
Td(uit)
55 ns
Technologie
SuperMESH ™Power MOSFET
Trr-diode (min.)
570 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics