N-kanaaltransistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

N-kanaaltransistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.16€
5-24
1.86€
25-49
1.66€
50-99
1.51€
100+
1.30€
Hoeveelheid in voorraad: 18

N-kanaaltransistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220FP. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1320pF. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 24.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 143pF. Markering op de kast: P8NK80ZFP. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 48 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

Technische documentatie (PDF)
STP8NK80ZFP
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.9A
ID (T=25°C)
6.2A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.3 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO220FP
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1320pF
Functie
Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
24.8A
Kanaaltype
N
Kosten)
143pF
Markering op de kast
P8NK80ZFP
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
30W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
48 ns
Technologie
SuperMESH™Power MOSFET
Trr-diode (min.)
460 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics