N-kanaaltransistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanaaltransistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.51€
5-24
1.30€
25-49
1.13€
50-99
1.04€
100+
0.91€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 68

N-kanaaltransistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 905pF. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 24A. Kanaaltype: N. Kosten): 115pF. Markering op de kast: P6NK60ZFP. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 47 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

Technische documentatie (PDF)
STP6NK60ZFP
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
1 Ohm
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
600V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
905pF
Functie
Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
24A
Kanaaltype
N
Kosten)
115pF
Markering op de kast
P6NK60ZFP
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
32W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
47 ns
Technologie
SuperMESH Power MOSFET
Trr-diode (min.)
445 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor STP6NK60ZFP