N-kanaaltransistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V

N-kanaaltransistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.02€
5-24
2.72€
25-49
2.47€
50-99
2.26€
100+
1.98€
Hoeveelheid in voorraad: 5

N-kanaaltransistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Aan-weerstand Rds Aan: 12.5m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 33V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1330pF. Functie: volledig beschermd. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 248A. Kanaaltype: N. Kosten): 420pF. Markering op de kast: P62NS04Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. RoHS: ja. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 41 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

Technische documentatie (PDF)
STP62NS04Z
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
37.5A
ID (T=25°C)
62A
Idss
0.01mA
Idss (max)
62A
Aan-weerstand Rds Aan
12.5m Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
33V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1330pF
Functie
volledig beschermd
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
248A
Kanaaltype
N
Kosten)
420pF
Markering op de kast
P62NS04Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
110W
Poort-/bronspanning Vgs
10V
Poort/bronspanning (uit) min.
2V
RoHS
ja
Td(aan)
13 ns
Td(uit)
41 ns
Technologie
MESH OVERLAY™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
45 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics