N-kanaaltransistor STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-kanaaltransistor STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.70€
5-24
1.40€
25-49
1.27€
50+
1.18€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 2

N-kanaaltransistor STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 3050pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 220A. Kanaaltype: N. Kosten): 380pF. Markering op de kast: P55NE06. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 30 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Temperatuur: +175°C. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

Technische documentatie (PDF)
STP55NE06
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.019 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
3050pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
220A
Kanaaltype
N
Kosten)
380pF
Markering op de kast
P55NE06
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
130W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
30 ns
Technologie
vermogens-MOSFET-transistor
Temperatuur
+175°C
Trr-diode (min.)
110 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor STP55NE06