N-kanaaltransistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 700pF. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaaltype: N. Kosten): 95pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29