N-kanaaltransistor STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 400pF. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 13.2A. Kanaaltype: N. Kosten): 57pF. Markering op de kast: P3NB60. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43