N-kanaaltransistor STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanaaltransistor STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
6.76€
5-24
6.10€
25-49
5.66€
50-99
5.32€
100+
4.82€
Hoeveelheid in voorraad: 21

N-kanaaltransistor STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1500pF. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 350pF. Markering op de kast: P20NM60FP. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 6 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

Technische documentatie (PDF)
STP20NM60FP
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
12.6A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.025 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1500pF
Functie
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaaltype
N
Kosten)
350pF
Markering op de kast
P20NM60FP
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
6 ns
Technologie
MDmesh™ MOSFET
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
390 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics