N-kanaaltransistor STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1300pF. Functie: Lage poortcapaciteit. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 500pF. Markering op de kast: P20NM60FD. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 192W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 8 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43