N-kanaaltransistor STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V

N-kanaaltransistor STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.02€
5-9
3.56€
10-24
3.28€
25-49
3.07€
50+
2.73€
Hoeveelheid in voorraad: 23

N-kanaaltransistor STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 550V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1000pF. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Markering op de kast: P12NM50FP. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

Technische documentatie (PDF)
STP12NM50FP
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
7.5A
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.3 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
550V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1000pF
Functie
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
48A
Kanaaltype
N
Kosten)
250pF
Markering op de kast
P12NM50FP
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
35W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
20 ns
Technologie
MDmesh Power MOSFET
Trr-diode (min.)
270 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics