N-kanaaltransistor STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V

N-kanaaltransistor STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.77€
5-24
3.29€
25-49
3.02€
50-99
2.80€
100+
2.49€
+14 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 62

N-kanaaltransistor STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Afvoerbronspanning (Vds): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 5200pF. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 440A. Kanaaltype: N. Kosten): 785pF. Markering op de kast: P120NF10. Maximale afvoerstroom: 110A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 312W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 132 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 152 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 300W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
STP120NF10
34 parameters
Afvoerbronspanning (Vds)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
0.009 Ohms
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
77A
ID (T=25°C)
110A
Idss (max)
10uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
5200pF
Functie
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
440A
Kanaaltype
N
Kosten)
785pF
Markering op de kast
P120NF10
Maximale afvoerstroom
110A
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
312W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
132 ns
Technologie
STripFET™ II Power MOSFET
Trr-diode (min.)
152 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
300W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics