N-kanaaltransistor STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1630pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: N. Kosten): 750pF. Markering op de kast: P11NM80. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 22 ns. Td(uit): 46 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Trr-diode (min.): 612 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29