N-kanaaltransistor STP11NM60, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1000pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: N. Kosten): 230pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(aan): 20 ns. Td(uit): 6 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43