N-kanaaltransistor STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V

N-kanaaltransistor STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.95€
5-24
1.64€
25-49
1.44€
50-99
1.30€
100+
1.13€
+2 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

N-kanaaltransistor STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aftapstroom: 5.7A. Afvoerbronspanning: 600V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1370pF. Conditionering: tubus. Eigenschappen van halfgeleider: ESD-beveiligd. Functie: Zener-Protected. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaaltype: N. Kosten): 156pF. Markering op de kast: P10NK60Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spanning: ±30V. Td(aan): 55 ns. Td(uit): 18 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 115W. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
STP10NK60Z
38 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.75 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aftapstroom
5.7A
Afvoerbronspanning
600V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1370pF
Conditionering
tubus
Eigenschappen van halfgeleider
ESD-beveiligd
Functie
Zener-Protected
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaaltype
N
Kosten)
156pF
Markering op de kast
P10NK60Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
115W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spanning
±30V
Td(aan)
55 ns
Td(uit)
18 ns
Technologie
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Trr-diode (min.)
570 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
115W
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics