N-kanaaltransistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

N-kanaaltransistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.31€
5-9
2.87€
10-24
2.58€
25-49
2.41€
50+
2.15€
Hoeveelheid in voorraad: 44

N-kanaaltransistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 5955pF. Functie: schakelcircuits. G-S-bescherming: nee. ID s (min): -. Id(imp): 400A. Kanaaltype: N. Kosten): 244pF. Markering op de kast: 100N8F6. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 33 ns. Td(uit): 103 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Trr-diode (min.): 38 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

Technische documentatie (PDF)
STP100N8F6
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
70A
ID (T=25°C)
100A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.008 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
5955pF
Functie
schakelcircuits
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
400A
Kanaaltype
N
Kosten)
244pF
Markering op de kast
100N8F6
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
176W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
33 ns
Td(uit)
103 ns
Technologie
STripFET™ F6 technology
Trr-diode (min.)
38 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics