N-kanaaltransistor STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V

N-kanaaltransistor STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
6.32€
5-24
5.75€
25-49
5.38€
50+
5.00€
Hoeveelheid in voorraad: 12

N-kanaaltransistor STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1350pF. Functie: snelle MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaaltype: N. Kosten): 175pF. Let op: Viso 4000V. Markering op de kast: H8NA60FI. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 20 ns. Td(uit): 16 ns. Technologie: Verbeteringsmodus. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
STH8NA60FI
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.2A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.5 Ohms
Behuizing
ISOWATT218FX
Behuizing (volgens datablad)
ISOWATT218
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1350pF
Functie
snelle MOSFET-transistor
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
32A
Kanaaltype
N
Kosten)
175pF
Let op
Viso 4000V
Markering op de kast
H8NA60FI
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
60W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
20 ns
Td(uit)
16 ns
Technologie
Verbeteringsmodus
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
600 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.75V
Vgs(th) min.
2.25V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics