N-kanaaltransistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanaaltransistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.51€
5-24
3.05€
25-49
2.57€
50+
2.33€
Hoeveelheid in voorraad: 193

N-kanaaltransistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.63 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 452pF. Functie: Lage invoercapaciteit en poortlading. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1mA. Id(imp): 26A. Kanaaltype: N. Kosten): 30pF. Markering op de kast: 9NM60N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 26A. Td(aan): 28 ns. Td(uit): 52.5 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 324 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 07:43

STF9NM60N
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
100mA
Aan-weerstand Rds Aan
0.63 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
452pF
Functie
Lage invoercapaciteit en poortlading
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1mA
Id(imp)
26A
Kanaaltype
N
Kosten)
30pF
Markering op de kast
9NM60N
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
25W
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 26A
Td(aan)
28 ns
Td(uit)
52.5 ns
Technologie
MDmesh™ II Power MOSFET
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
324 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics