N-kanaaltransistor STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V

N-kanaaltransistor STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.29€
5-49
1.06€
50-99
0.90€
100+
0.81€
Hoeveelheid in voorraad: 97

N-kanaaltransistor STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 485pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 75. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaaltype: N. Kosten): 57pF. Markering op de kast: D3NK80Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 36ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54

Technische documentatie (PDF)
STD3NK80Z-1
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
1.57A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (max)
50mA
Aan-weerstand Rds Aan
3.8 Ohms
Behuizing
TO-251 ( I-Pak )
Behuizing (volgens datablad)
TO-251 ( I-Pak )
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
485pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
75
Functie
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
10A
Kanaaltype
N
Kosten)
57pF
Markering op de kast
D3NK80Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
70W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
36ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
384 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics