N-kanaaltransistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V

N-kanaaltransistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.53€
5-24
2.20€
25-49
1.93€
50-99
1.73€
100+
1.46€
Hoeveelheid in voorraad: 16

N-kanaaltransistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ). Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 790pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: N. Kosten): 70pF. Markering op de kast: 13NM60N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54

STD13NM60N
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
6.93A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
100uA
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK )
Spanning Vds(max)
650V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
790pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
44A
Kanaaltype
N
Kosten)
70pF
Markering op de kast
13NM60N
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
90W
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(aan)
3 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
MDmesh™ II Power MOSFET
Trr-diode (min.)
290 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics