N-kanaaltransistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

N-kanaaltransistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.01€
5-24
0.86€
25-49
0.75€
50-99
0.68€
100+
0.58€
Hoeveelheid in voorraad: 107

N-kanaaltransistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.115 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 470pF. Functie: SWITCHING APPLICATION. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaaltype: N. Kosten): 70pF. Markering op de kast: D10NF10. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 16 ns. Td(uit): 32 ns. Technologie: Lage poortlading STRipFET™ II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54

Technische documentatie (PDF)
STD10NF10
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
9A
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.115 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( D-PAK )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
470pF
Functie
SWITCHING APPLICATION
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaaltype
N
Kosten)
70pF
Markering op de kast
D10NF10
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
50W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
16 ns
Td(uit)
32 ns
Technologie
Lage poortlading STRipFET™ II Power MOSFET
Trr-diode (min.)
90 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics