N-kanaaltransistor STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 850pF. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: N. Kosten): 48pF. Markering op de kast: B12NM50ND. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Td(aan): 12 ns. Td(uit): 40 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54