N-kanaaltransistor SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1150pF. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 28A. Kanaaltype: N. Kosten): 130pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Samsung. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54