N-kanaaltransistor SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V
| +2 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 49 |
N-kanaaltransistor SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing (volgens datablad): P-TO220-3-1. Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aftapstroom: 20.7A. Afvoerbronspanning: 600V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2400pF. Conditionering: tubus. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.1uA. Id(imp): 62.1A. Kanaaltype: N. Kosten): 780pF. Markering op de kast: 20N60C3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 67 ns. Technologie: Cool Mos. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 208W. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33