N-kanaaltransistor SPP11N60C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1200pF. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.1uA. Id(imp): 33A. Kanaaltype: N. Kosten): 390pF. Markering op de kast: 11N60C3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 44 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33