N-kanaaltransistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

N-kanaaltransistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.09€
5-24
2.71€
25-49
2.48€
50-99
2.31€
100+
2.06€
Hoeveelheid in voorraad: 21

N-kanaaltransistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 785pF. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaaltype: N. Kosten): 33pF. Markering op de kast: 06N80C3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33

Technische documentatie (PDF)
SPP06N80C3
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.78 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220-3-1
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
785pF
Functie
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
10uA
Id(imp)
18A
Kanaaltype
N
Kosten)
33pF
Markering op de kast
06N80C3
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
83W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
72 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diode (min.)
520 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.1V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies