N-kanaaltransistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V

N-kanaaltransistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.80€
5-24
2.58€
25-49
2.35€
50-99
2.13€
100+
1.87€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 49

N-kanaaltransistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 85m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 490pF. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Markering op de kast: 04N60C3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Td(aan): 6 ns. Td(uit): 58.5 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33

Technische documentatie (PDF)
SPP04N60C3
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2.8A
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
85m Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220-3-1
Spanning Vds(max)
650V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
490pF
Functie
Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.5uA
Id(imp)
13.5A
Kanaaltype
N
Kosten)
160pF
Markering op de kast
04N60C3
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
50W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden
Td(aan)
6 ns
Td(uit)
58.5 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diode (min.)
300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor SPP04N60C3