N-kanaaltransistor SPA08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-kanaaltransistor SPA08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.81€
5-9
3.34€
10-24
3.01€
25-49
2.79€
50+
2.48€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 35

N-kanaaltransistor SPA08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1100pF. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 24A. Kanaaltype: N. Kosten): 46pF. Markering op de kast: 08N60C3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Td(aan): 25 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33

Technische documentatie (PDF)
SPA08N80C3
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
5.1A
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.56 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1100pF
Functie
Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
24A
Kanaaltype
N
Kosten)
46pF
Markering op de kast
08N60C3
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut)
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
72 ns
Technologie
Cool Mos POWER trafnsistor
Trr-diode (min.)
550 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor SPA08N80C3