N-kanaaltransistor SKM100GAR123D, 90A, ander, ander, 600V

N-kanaaltransistor SKM100GAR123D, 90A, ander, ander, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-2
106.03€
3-7
102.94€
8-15
97.41€
16+
92.43€
Geen voorraad meer
Ontvang een e-mail wanneer dit product weer op voorraad is!

N-kanaaltransistor SKM100GAR123D, 90A, ander, ander, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Behuizing: ander. Behuizing (volgens datablad): ander. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 7. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 5000pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 100A. Functie: IGBT met hoog vermogen. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 150A. Kanaaltype: N. Kosten): 720pF. Let op: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Montage/installatie: -. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(aan): 30 ns. Td(uit): 450 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Origineel product van fabrikant: Semikron. Aantal op voorraad bijgewerkt op 29/09/2025, 21:55

Technische documentatie (PDF)
SKM100GAR123D
24 parameters
Ic(T=100°C)
90A
Behuizing
ander
Behuizing (volgens datablad)
ander
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
7
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
5000pF
CE-diode
ja
Collectorstroom
100A
Functie
IGBT met hoog vermogen
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
150A
Kanaaltype
N
Kosten)
720pF
Let op
Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz)
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
4.5V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
6.5V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Spec info
Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed)
Td(aan)
30 ns
Td(uit)
450 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.3V
Origineel product van fabrikant
Semikron