N-kanaaltransistor SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 12V. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 12350pF. Functie: Power MOSFET. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 70A. Kanaaltype: N. Kosten): 2775pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 7.8W. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(aan): 38 ns. Td(uit): 240 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 84 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:14