N-kanaaltransistor SI2306BDS-T1-E3, SOT23, 30V, 30 v
| +724 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 6229 |
N-kanaaltransistor SI2306BDS-T1-E3, SOT23, 30V, 30 v. Behuizing: SOT23. Vdss (afvoer naar bronspanning): 30V. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 305pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 3.5A. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 4A. Informatie: -. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Kenmerken: -. MSL: -. Markering van de fabrikant: L6. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montagetype: SMD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Polariteit: MOSFET N. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. RoHS: ja. Serie: TrenchFET. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Origineel product van fabrikant: Vishay (siliconix). Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 22:31