N-kanaaltransistor SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V

N-kanaaltransistor SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.13€
5-24
4.55€
25-49
4.10€
50-99
3.79€
100+
3.38€
+176 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 6

N-kanaaltransistor SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 1600pF. CE-diode: nee. Collector piekstroom IP [a]: 112A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Collectorstroom: 41A. Componentfamilie: IGBT-transistor. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Functie: Motorbedieningen, omvormer. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 112A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 53 ns. Kanaaltype: N. Kosten): 150pF. Markering op de kast: G30N60. Markering van de fabrikant: G30N60. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale temperatuur: +150°C.. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. RoHS: ja. Td(aan): 44 ns. Td(uit): 291 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 349 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:14

Technische documentatie (PDF)
SGP30N60
41 parameters
Behuizing
TO-220
Ic(T=100°C)
30A
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AC
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
1600pF
CE-diode
nee
Collector piekstroom IP [a]
112A
Collector-emitterspanning Uce [V]
600V
Collectorstroom Ic [A]
41A
Collectorstroom
41A
Componentfamilie
IGBT-transistor
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Functie
Motorbedieningen, omvormer
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
112A
Inschakeltijd ton [nsec.]
53 ns
Kanaaltype
N
Kosten)
150pF
Markering op de kast
G30N60
Markering van de fabrikant
G30N60
Maximale dissipatie Ptot [W]
250W
Maximale temperatuur
+150°C.
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
2.4V
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
250W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
3V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
5V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
5V
RoHS
ja
Td(aan)
44 ns
Td(uit)
291 ns
Technologie
Snelle IGBT in NPT-technologie
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
349 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.7V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies