N-kanaaltransistor RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Collector-emitterspanning Vceo: 360V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 85pF. CE-diode: nee. Collectorstroom: 30A. Functie: IGBT. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 250A. Kanaaltype: N. Kosten): 40pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(aan): 40 ns. Td(uit): 90 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Origineel product van fabrikant: Renesas Technology. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13