N-kanaaltransistor RJH30H2DPK-M0, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 1200pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 35A. Compatibiliteit: Samsung PS42C450B1WXXU. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 250A. Kanaaltype: N. Kosten): 80pF. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Td(aan): 0.02 ns. Td(uit): 0.06 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Trr-diode (min.): 23 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Origineel product van fabrikant: Renesas Technology. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13