N-kanaaltransistor RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 900pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 30A. Kanaaltype: N. Kosten): 325pF. Markering op de kast: F12N10L. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. RoHS: ja. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 100 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29