N-kanaaltransistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

N-kanaaltransistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.79€
5-24
3.36€
25-49
2.83€
50+
2.55€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

N-kanaaltransistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 30 milliOhms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spanning Vds(max): 150V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 4720pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.05uA. Id(imp): 200A. Kanaaltype: N. Kosten): 456pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(aan): 25 ns. Td(uit): 79 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 118 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29

Technische documentatie (PDF)
PSMN035-150P
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
36A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
500uA
Aan-weerstand Rds Aan
30 milliOhms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB ( SOT78 )
Spanning Vds(max)
150V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
4720pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.05uA
Id(imp)
200A
Kanaaltype
N
Kosten)
456pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
250W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
79 ns
Technologie
verbeteringsmodus veldeffecttransistor
Trr-diode (min.)
118 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors