N-kanaaltransistor PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 4900pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.05uA. Id(imp): 240A. Kanaaltype: N. Kosten): 390pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(aan): 25 ns. Td(uit): 95 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29