N-kanaaltransistor PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Spanning Vds(max): 25V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 920pF. Functie: Veldeffect-vermogenstransistor, Logische niveauregeling. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.05uA. Id(imp): 180A. Kanaaltype: N. Kosten): 260pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 86W. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. RoHS: ja. Td(aan): 6 ns. Td(uit): 78 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13