N-kanaaltransistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

N-kanaaltransistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.82€
5-24
1.51€
25-49
1.27€
50+
1.13€
Hoeveelheid in voorraad: 779

N-kanaaltransistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 40V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: nee. C(inch): 790pF. Functie: Verbetering van logisch niveau. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 40A. Kanaaltype: N. Kosten): 175pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. RoHS: ja. Td(aan): 2.2 ns. Td(uit): 11.8 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Niko-semi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
P2804BDG
25 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
10A
Idss
1uA
Idss (max)
10A
Aan-weerstand Rds Aan
0.03 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( D-PAK )
Spanning Vds(max)
40V
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
nee
C(inch)
790pF
Functie
Verbetering van logisch niveau
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
40A
Kanaaltype
N
Kosten)
175pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
32W
RoHS
ja
Td(aan)
2.2 ns
Td(uit)
11.8 ns
Technologie
Veldeffecttransistor
Trr-diode (min.)
15.5 ns
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Niko-semi