N-kanaaltransistor NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v

N-kanaaltransistor NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.72€
5-24
2.36€
25-49
2.10€
50-99
1.91€
100+
1.66€
Hoeveelheid in voorraad: 13

N-kanaaltransistor NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (max): 191A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3M Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Functie: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. Kanaaltype: N. Let op: zeefdruk/SMD-code 4833N. Markering op de kast: 4833N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 114W. Technologie: Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
NTMFS4833NT1G
19 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
138A
ID (T=25°C)
191A
Idss (max)
191A
Aan-weerstand Rds Aan
1.3M Ohms
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8FL
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Functie
ID pulse 288A/10ms
Id(imp)
288A
Kanaaltype
N
Let op
zeefdruk/SMD-code 4833N
Markering op de kast
4833N
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
114W
Technologie
Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor