N-kanaaltransistor NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

N-kanaaltransistor NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
51.05€
5-9
48.02€
10-14
46.16€
15-29
44.78€
30+
42.20€
Hoeveelheid in voorraad: 6

N-kanaaltransistor NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4416pF. Functie: UPS, DC/DC-converter, boost-omvormer. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 472A. Kanaaltype: N. Kosten): 296pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 503W. Poort-/bronspanning Vgs: 19V. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Td(aan): 40 ns. Td(uit): 55 ns. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
NTHL020N090SC1
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
83A
ID (T=25°C)
118A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.02 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247-3L, CASE 340CX
Spanning Vds(max)
900V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4416pF
Functie
UPS, DC/DC-converter, boost-omvormer
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
472A
Kanaaltype
N
Kosten)
296pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
503W
Poort-/bronspanning Vgs
19V
Spec info
IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm
Td(aan)
40 ns
Td(uit)
55 ns
Technologie
MOSFET – SiC Power, Single N-Channel
Trr-diode (min.)
28 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor