N-kanaaltransistor NDS355AN, SOT-23, 30 v

N-kanaaltransistor NDS355AN, SOT-23, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-24
1.09€
25+
0.66€
+5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 3047

N-kanaaltransistor NDS355AN, SOT-23, 30 v. Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aanval: 5nC. Aftapstroom: 1.7A. Afvoerbronspanning: 30V. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 195pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 1.7A. Eigenschappen van halfgeleider: Logisch niveau. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Markering van de fabrikant: NDS355AN_NL. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: SMD. Polariteit: unipolair. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Type transistor: N-MOSFET, logic level. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Vermogen: 0.5W. Origineel product van fabrikant: Onsemi (fairchild). Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 23:36

Technische documentatie (PDF)
NDS355AN
25 parameters
Behuizing
SOT-23
Afvoerbronspanning Uds [V]
30 v
Aantal aansluitingen
3
Aanval
5nC
Aftapstroom
1.7A
Afvoerbronspanning
30V
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.125 Ohms @ 1.7A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
195pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
1.7A
Eigenschappen van halfgeleider
Logisch niveau
Inschakeltijd ton [nsec.]
20 ns
Markering van de fabrikant
NDS355AN_NL
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
SMD
Polariteit
unipolair
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
2V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Type transistor
N-MOSFET, logic level
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
25 ns
Vermogen
0.5W
Origineel product van fabrikant
Onsemi (fairchild)