N-kanaaltransistor MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-99
0.27€
100-999
0.20€
1000-2999
0.13€
3000+
0.11€
| Hoeveelheid in voorraad: 8074 |
N-kanaaltransistor MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 0.5A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Markering van de fabrikant: 6Z. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Origineel product van fabrikant: Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 22:31
MMBF170LT1G
17 parameters
Behuizing
SOT-23
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-236AB
Afvoerbronspanning Uds [V]
60V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
5 Ohms @ 0.2A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
60pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
0.5A
Inschakeltijd ton [nsec.]
10 ns
Markering van de fabrikant
6Z
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.225W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
3V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
10 ns
Origineel product van fabrikant
Onsemi