N-kanaaltransistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanaaltransistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.08€
5-24
1.72€
25-49
1.53€
50+
1.43€
Hoeveelheid in voorraad: 47

N-kanaaltransistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 780pF. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 28nC, lage Crss 24pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaaltype: N. Kosten): 100pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 38 ns. Technologie: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 272 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Magnachip Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:52

Technische documentatie (PDF)
MDF9N50TH
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
5.5A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
9A
Aan-weerstand Rds Aan
0.72 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
+55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
780pF
Functie
Snelle schakelaar, lage poortlading 28nC, lage Crss 24pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaaltype
N
Kosten)
100pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
38W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
18 ns
Td(uit)
38 ns
Technologie
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
272 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Magnachip Semiconductor