N-kanaaltransistor MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1650pF. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49.6W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(aan): 27 ns. Td(uit): 132 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Magnachip Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:52