N-kanaaltransistor MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: ja. Collectorstroom: 100A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 180A. Kanaaltype: N. Markering op de kast: 60T65PES. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 535W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 45 ns. Td(uit): 142ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Origineel product van fabrikant: Magnachip Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:52